НайсПрайс
Режим работы
Получение заказа
г. Рязань, ул. Чапаева, д. 56
пн-пт 9:00 - 20:00
сб 10:00 - 19:00
вс 10:00 - 18:00
сб 10:00 - 19:00
вс 10:00 - 18:00
Контактный центр
8 (4912) 500-596
пн-пт 9:00 - 20:00
сб 10:00 - 20:00
вс 10:00 - 20:00
сб 10:00 - 20:00
вс 10:00 - 20:00
Заказы через сайт принимаются круглосуточно
Отдел рекламации
8 (4912) 500-596
пн-пт 15:00 – 17:00
Внутренний SSD Samsung 9100 PRO 4 ТБ (MZ-VAP4T0CW)
Код товара: 3015606
Приобретите надёжный и вместительный внутренний SSD Samsung 9100 PRO 4 ТБ (MZ-VAP4T0CW) в Рязани! Этот SSD-диск от известного бренда Samsung станет отличным решением для вашего компьютера. С ёмкостью 4 ТБ вы сможете хранить большое количество данных, а технология TLC 3D NAND обеспечивает высокую производительность и надёжность.
Форм-фактор M.2 2280 и интерфейс PCI-E 5.0 гарантируют совместимость и быструю работу SSD. Скорость случайной записи составляет 2 600 000 IOPS, а время наработки на отказ — 1 500 000 часов. В комплекте с SSD вы получите всю необходимую документацию.
Купить внутренний SSD Samsung 9100 PRO 4 ТБ в Рязани можно в интернет-магазине NicePrice62. Не упустите возможность приобрести качественный SSD по выгодной цене!
Форм-фактор M.2 2280 и интерфейс PCI-E 5.0 гарантируют совместимость и быструю работу SSD. Скорость случайной записи составляет 2 600 000 IOPS, а время наработки на отказ — 1 500 000 часов. В комплекте с SSD вы получите всю необходимую документацию.
Купить внутренний SSD Samsung 9100 PRO 4 ТБ в Рязани можно в интернет-магазине NicePrice62. Не упустите возможность приобрести качественный SSD по выгодной цене!
Название Накопитель SSD 2Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP2T0CW); Бренд Samsung; Емкость 4 ТБ; Тип флэш-памяти TLC 3D NAND; Форм-фактор M.2 2280; Интерфейс PCI-E 5.0; Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) 2600000 IOPS; Время наработки на отказ 1500000 ч; Дополнительная информация SSD-диск - 1 шт, документация; Гарантийный срок 1 г;
- Характеристики
- Отзывы (0)
| Название | Накопитель SSD 2Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP2T0CW) |
| Бренд | Samsung |
| Емкость | 4 ТБ |
| Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Интерфейс | PCI-E 5.0 |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) | 2600000 IOPS |
| Время наработки на отказ | 1500000 ч |
| Дополнительная информация | SSD-диск - 1 шт, документация |
| Гарантийный срок | 1 г |
